SiC外延设备成功制备出7μm厚外延层

文章出处:原创 人气:5445 发表时间:2016-11-11
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  近日,电科装备48 所承研的SiC 外延项目取得重大技术进展,成功制备出7μm厚外延层,标志着SiC 外延设备已完成初步工艺调试。这是继SiC 高温高能离子注入机研制成功以来,48 所在第三代宽禁代半导体装备领域的又一重大突破,为我国在电力电子器件制造装备领域的自主可控贡献了新的力量。
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