扩散氧化炉
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扩散氧化炉

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  • 产品简介
  • 产品特点
  • 技术参数
  • 应用范围
  扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一,用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金和烧结等工艺。水平管式炉的设计考虑了硅片生产的多种工艺性能需要,具有最大生产能力和优越的性能指标。 详情1
  •   采用高可靠性工控机+PLC模式,对炉温、进退舟、气体流量、阀门进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化;
      关键部件均采用进口,确保设备的高可靠性;
      具有友好的人机界面,用户可以方便地修改工艺控制参数,并可随时显示各种工艺状态;
      具有多种工艺管路,可供用户方便选择;
      具有多种报警功能及安全保护功能;
      具有强大的软件功能,配有故障自诊断软件,可大大节省维修时间;
      恒温区自动调整,串级控制,可准确控制反应管的实际工艺温度。
  • 内容2
  •   适用晶片尺寸: 2~8英寸圆片
      工作温度: 600℃~1300℃;
      可配工艺管数量: 1~4管/台
      恒温区长度及精度:≤±0.5℃/300~800mm (800℃~1300℃),
      单点温度稳定性:≤±0.5℃℃ /24h (1100℃);
      温度斜变能力:最大升温速率:20℃/min,最大降温速率:5℃/min;
      具有超温、断偶、热偶短路、工艺气体流量偏差报警和保护功能;
      可根据用户要求定制产品。
  • 参数
  •   用于半导体器件、集成电路制造过程中扩散、氧化、退火及合金工艺。
  • 范围4
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