低压扩散炉
  • 低压扩散炉

低压扩散炉

更多
  • 产品简介
  • 产品特点
  • 技术参数
  • 应用范围
M5111-6/UM型低压扩散炉继承了上一代产品的全密封洁净扩散、推舟软着陆、工艺自动化程度高、设备运行稳定可靠性好、石英管维护周期长、SiC桨免维护等优点,并在温度曲线控制、恒温区长度、工艺压力控制、单管产能、自动上下料等方面又有新的突破,在降低成本、高方阻工艺、降低人工劳动强度等方面又有很大的提高。
  •   1、高方阻低压工艺
      独特的设计,提高设备高方阻均匀性,符合下一代高效电池工艺路线;
      2、自动上下料
      提高设备自动化,降低人工劳动强度,减少人工污染;
      3、高精度温度控制
      采用自主研发、设计、制造的超大口径、超长温区高温炉体;控温精度达0.1℃级别的五段双回路温度控制系统;
      4、电气控制
      强弱电分离,提高设备可靠性、安全性和抗干扰能力;
      5、软着陆送片机构
      采用高洁净无油水平传送机构,大负荷、高稳定平稳升降机构;SiC悬臂桨在工艺时不再停留在反应室,缩短了工艺回温时间,实现SiC桨免清洗,延长了SiC悬臂桨的使用寿命;
      6、高温密封炉门
      柔性密封技术性能更加良好,同时隔热性能优异,减少尾气泄漏,缩短工艺回温时间;
      7、拥有知识产权著作登记权的高温扩散/氧化系统监控软件
      工艺全自动监控、触摸屏操作;事件记录报警功能,使得设备状态、操作可追溯;具备大规模组网功能接口,为企业的信息化管理提供了高效平台;
      8、压力监控系统
      将压力参数引入晶体硅太阳能电池扩散/氧化工艺,有效减小了尾部排风对工艺的干扰,减小由排风引起的工艺波动;
  •   1、 炉膛有效内径:       Ф350mm (适用于外径为Ф330mm的石英管);
      2、温度控制范围:       400~1100℃;
      3、工艺方式:低压工艺;
      4、压力控制精度:<±1mbar;
      5、管内本底压力:<20mbar;
      6、产能:1000片/管
      7、 恒温区长度及精度:   ≤±0.5℃/1300mm   (801~1100℃);
      ≤±1℃/1300mm (400~800℃)
      8、单点温度稳定性:     ≤±1℃ /4h      (900℃时);
      9、温度控制方式:    五段快速回温系统;
      19、配备反应管压力自平衡系统
      11、炉体升降温速率:    最大升温速率:15℃/分钟,最大降温速率:5℃/分钟;
      12、具有自动斜率升降温及恒温功能;
      13、具有超温、断偶、热偶短路、流量偏差报警和保护功能;
      14、净化工作台净化级别: 1000级 (环境10000级);
      15、悬臂式SiC桨软着陆送舟机构。水平进舟速率50mm/min~800mm/min连续可调,垂直升降速率: 8mm/min~12mm/min;石英炉门自动密封,气缸推动完成水平二级推动和旋转运动。
      16、工艺过程由工控计算机全自动控制,直接在触摸屏上操作;
      17、可存储100条工艺曲线、每条曲线不少于30个拐点;
  •   扩散炉是半导体加工中的典型热处理设备,用于集成电路、分立器件、太阳能光伏行业中进行P掺杂、B掺杂、氧化、合金、退火等工艺
ADVISORY MESSAGEA
咨询留言
  • 点击刷新验证码