SiC外延项目组对标商用外延片,成功迈出关键一步——第三代半导体关键装备研制进展系列报道之三

文章出处:原创 人气:7382 发表时间:2017-01-09
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2017年1月9日,第一事业部SiC外延项目组通过紧张调试和实验,新鲜出炉的外延片表面光洁如镜,经分析检测:外延层厚度到达20μm(符合1700V功率器件制作要求),SiC外延层缺陷密度降至0.7个/cm2(商业外延片缺陷密度标准为1个/cm2),为下一步生长出完全合格的商用SiC外延片迈出了关键性一步。



课题组继2016年9月28日首次生长出第一批SiC外延片后,经过三个多月的全力攻艰,SiC外延项目组不负所领导的高度重视,顶着“时间紧,任务重”的压力,实行每周6天、每天12小时工作制,制定详实的月、周、日工作计划。终于功夫不负有心人,项目组在保证工艺重复性的前提下,先后突破生长厚度、生长速率以及外延层缺陷密度指标,期间,项目组成员精诚合作,集思广益,对工艺及设备难题进行深入研究,定期召开工艺讨论会,与国内外同行保持紧密交流。设备及外围保障人员一刻都不敢放松,确保设备的正常运转。目前SiC外延设备运转状态良好,SiC外延片厚度及缺陷密度符合甚至超过行业标准,下阶段的工作重心将聚焦到如何提高SiC外延片厚度均匀性以及掺杂均匀性上。


此次成功突破SiC外延层表面缺陷密度指标,成果意义重大,项目组将不忘初心,继续把自己的满腔热情投入到下一阶段的工作中,助推我所在宽禁带半导体装备领域更快、更好的发展。

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